主要内容

测试工具来生成大功率IGBT器件的特点

开放模式

这个示例提供了不同的参数估算开关损耗的测试工具的n沟道IGBT块。

设计和分析一个三相变换器的更多信息,请参考示例,

  1. ee_converter_design_igbt_iv_characteristics。

  2. ee_converter_design_igbt_thermal_analysis。

访问整个工作流,帆布或点击超链接的模型,在MATLAB®命令窗口,类型:

编辑ee_converter_design_igbt_workflow.mlx

测试工具对大功率变换器开关损耗估算

这个模型情节的变化对这些IGBT开关损耗特性仿真参数:

  1. Collector-emitter当前$ $ (I_ {ce}) $ $

  2. PWM开关频率$ $ (f {pwm}) $ $

  3. Gate-emitter电压$ $ (V_{通用电气})$ $

  4. Collector-emitter电压$ $ (V_ {ce}) $ $

  5. 门阻力$ $ (R_ {gon} \;和\;R_ $ ${高夫})

  6. 结温$ $ $ $ (T_ {j}识别)

这个例子中情节IGBT的特点为双脉冲和正弦脉宽调制信号门。IGBT测试设备放置在较低(IGBTL)转换器的腿。确定单一的接通和断开的特点,该模型使用一个双脉冲信号。模拟电压$ $ (V_ {ce}) $ $和当前$ $ (I_ {ce}) $ $强调IGBT-diode设备组合在一个典型的两级变换器,使用正弦PWM调制信号门和集电极电流正弦输出。正弦$ $ (I_ {ce}) $ $负载电流的正弦电压调制信号选项使您能够模拟不同功率因数,电源频率,开关频率。IGBT特征绘制双脉冲和正弦脉宽调制信号门。

参数选择开关损耗评估测试工具的面具

定义仿真参数和开关损耗特性,打开右边上角参数选择的面具。

模拟开关损耗特征单一的接通和断开

IGBT开关损耗值变化根据切换区域的定义和自由旋转二极管。在这个例子中,一些二极管反向恢复是接通开关的一部分地区和任何功率损耗(Vce *冰)大于lossFactor *马克斯(Vce *冰)是一个开关损耗。这个示例使用损耗系数为0.02(2%的最大开关电源)。在切换期间,任何功率损耗(Vce *冰)大于lossFactor *马克斯(Vce *冰)被认为是作为开关损耗。

模拟不同冰损失

这图显示了不同冰模拟损失。

模拟不同的Vce损失

这图显示了模拟不同的Vce损失。

模拟不同的Rg损失

这图显示了模拟不同的Rg损失。

模拟开关损耗为正弦负载电流和调制信号特征

模拟输出正弦负荷电流这图显示了模拟输出正弦负载电流时f {pwm} = 3000 hz $ $ $ $。

模拟不同冰损失

这图显示了不同冰当模拟损失f {pwm} = 3000 hz $ $ $ $。

模拟不同的PWM频率损失

这图显示了模拟损失对不同PWM频率。